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图像传感器主要分为CCD图像传感器和CMOS图像传感器两大类。CCD和CMOS都是利用感光二极管进行光电转换，将图像转换为数字信号，但二者在感光二极管的周边信号处理电路和感光单元产生的电信号的处理方式不同。CMOS（ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物场效应管）技术作为后起之秀，从90年代开始被重视并获得大量研发资源，逐步赶超CCD（Charge-CoupledDevice，电荷耦合器件），当前已经在图像传感器市场占据肯定的主导地位..安防领域的需求将持续上涨，对 CMOS图像传感器的需求也将同步提升。汕头ONSEMIMT9M031I12STM特价

为了克服这些技术挑战，采用了一种新的方法，将像素部分和信号处理电路部分分别形成在两个单独的硅基板上，并且将两个硅基板高精度对准和键合，并在多个点进行电连接(日本专利号5773379TakuUmebayashi,HiroshiTakahashi,ReijiroShoji)。其结果是，在像素部分正下方确保了宽广的信号处理区域，同时实现了小型化和多功能化，而不会损害背照式CMOS图像传感器已经拥有的高质量性能。“一层”硅半导体器件改为“二层”。该技术作为堆叠式多功能CMOS图像传感器在世界上初始实现量产和商业化。江门安森美MT9M031I12STM生产厂家车载领域的CIS应用包括：后视摄像(RVC)，***视图系统(SVS)，摄像机监控系统，FV/MV，DMS/IMS系统。

CMOS图像传感器的未来展望：堆叠式的CMOS图像传感器使得为CMOS图像传感器本身添加全新功能成为了可能，并为图像传感器市场的急剧扩张做出了贡献。因此，它促进了国内对图像传感器量产设备的投资，并为日本半导体产业注入了活力。在即将到来的IoT和AI技术时代，堆叠式多功能CMOS图像传感器将作为支持新时代的成像设备平台发挥重要作用，许多搭载该技术的产品有望让我们的生活更加丰富方便，为社会基础设施的发展和完善作出巨大贡献。

前照式（FSI）与背照式（BSI）：早期的CIS采用的是前面照度技术FSI（FRONT-SIDEILLUMINATED），拜尔阵列滤镜与光电二极管（PD）间夹杂着金属（铝，铜）区，大量金属连线的存在对进入传感器表面的光线存在较大的干扰，阻碍了相当一部分光线进入到下一层的光电二极管（PD），信噪比较低。技术改进后，在背面照度技术BSI（FRONT-SIDEILLUMINATED）的结构下，金属（铝，铜）区转移到光电二极管（PD）的背面，意味着经拜尔阵列滤镜收集的光线不再众多金属连线阻挡，光线得以直接进入光电二极管；BSI不仅可大幅度提高信噪比，且可配合更复杂、更大规模电路来提升传感器读取速度。芯片相机的崛起为多个领域（车载、航天、医疗、工业制造、安防）等领域的技术创新提供了新机遇。

2017年，智能手机应用占CMOS图像传感器销售额的62％，达77.5亿美元，但市场份额预计将在2022年降至45％。而在未来几年，汽车、安防监控、医疗、玩具/电玩与工业等将成为带动CMOS传感器高速发展的主要动力。汽车CMOS图像传感器预计将在2017~2022年期间在主要终端应用中快速增长，复合年增长率（CAGR）为38.4％，达到2022年（28亿美元）CMOS图像传感器总销售额的约15％。图像传感器主要分为CCD图像传感器和CMOS图像传感器两大类。CMOS图像传感器近年来增长迅速，已接近较全的替代CCD传感器。在这样的背景下，行业主要参与者都在加大CMOS图像传感器的投入力度，行业传统三强不断巩固着市场地位，而后起之秀也让业界眼前一亮。2017年为CMOS图像传感器高增长点，同比增长达到20%。深圳COMSMT9M031I12STM封装厂

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CMOS图像传感器的广泛应用：在2001年11月，Photobit被美光科技公司收购并获得许可回归加州理工学院。与此同时，到2001年，已有数十家竞争对手崭露头角，例如Toshiba，STMicro，Omnivision，CMOS图像传感器业务部分归功于早期的努力促进技术成果转化。后来，索尼和三星分别成为了现在全球市场排名前列，第二。后来，Micron剥离了Aptina，Aptina被ONSemi收购，目前排名第4。CMOS传感器逐渐成为摄影领域主流，并广泛应用于多种场合。。汕头ONSEMIMT9M031I12STM特价

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